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半導體領域Semiconductor field
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半導體領域專利申請的基本特點
  • 01

    1、半導體領域的專利技術涉及材料、物理、電子、光學、計算機等多種學科,由于行業發展迅猛,其專利技術更新速度快,且通常具有很高的經濟效益。為了保護和增強公司價值,半導體領域的專利技術已成為本領域的兵家必爭之地。自2000年以來,獲得最多專利的主要半導體領域依序為:1. 主動固態組件;2. 半導體制程;3. 靜態信息儲存與檢索;4. 相干光產生器;5. 電子量測與測試;6. 各種主動式電子非線性組件、電路及系統;7. 電子系統與設備。近年來公布的專利合作條約(PCT)大約維持在每年2,000件左右。前七大提出PCT申請的公司分別為飛利浦電子、超微(AMD)、IBM、應用材料(Applied Materials)、摩托羅拉(Motorola)、英特爾(Intel)與半導體能源實驗室(Semiconductor Energy Laboratory)。自2000年起,半導體、半導體設備、光學、涂布與靜態儲存一直引領著PCT的應用方向。飛利浦電子與超微將持續作為提出PCT的主要公司。半導體能源實驗室則是從2005年開始積極提出PCT。

  • 02

    2、專利申請的對象主要分為以下幾種類型:
    (1)電子元器件:如晶體管、存儲器、傳感器、LED照明、光電器件、太陽能光伏器件等。
    (2)芯片與系統:如SoC系統級芯片、MEMS微電子機械系統等。
    (3)材料與設備:如SOI、GOI、光電材料、介質材料、封裝材料、制程設備、測試設備等。
    (4)制程、工藝方法:如生長薄膜、摻雜、光刻、刻蝕、制造器件的工藝流程等。
    (5)IC設計、模擬方法:如 IC設計方法、器件仿真模擬方法、失效分析方法等。
    (6)測試、驗證方法:如 IC、器件量測方法等。

半導體領域技術資料準備的提綱
專利申請以產品、方法為主:產品/方法的創新主要基于產品的構造及工藝方法的步驟,則申請時應考慮提供:
  • 01

    本專利的任務是什么,或要解決的技術問題是什么?

  • 02

    已有產品/方法的不足:即說明與本專利的內容最相似的產品/方法,需要說明已有產品的主要結構、原理、實用效果,或已有工藝、方法的步驟、實用效果,尤其指出與本專利相比,原有產品/方法存在的缺點或不足之處。如有引用文獻,需要說明出處;如有參考產品,指出其型號、廠家。對原有技術的介紹盡可能詳細,可附結構原理圖。

  • 03

    本專利的內容:應說明本專利達到目的或解決問題的技術手段。包括產品的組成、結構,尤其說明各組成部分之間的相互關系,例如連接關系、被作用的工作電流或信號的走向。或工藝、方法的流程步驟,還需說明各步驟涉及的重要工藝參數(如時間、溫度等)、重要公式。寫明本專利的工作原理,本專利與現有技術的區別點。

  • 04

    本專利的效果:有益效果可以由工作性能的提高,制作成本、能量損耗的減少,穩定性的增加,操作、控制、使用的簡便,以及其他有用性能的出現等方面反映出來,對于工藝、材料的改進,還需給出實驗數據加以證明。

  • 05

    附圖與說明:產品構造或裝置或設備的圖解,圖應以電子制圖或流程圖的標準繪制,而非掃描圖。使專利工作人員可直接在附圖上編輯修改,實用新型申請必須帶附圖。工藝、方法可提供流程圖。

  • 06

    本專利的具體實施例:對照附圖,說明本專利的具體實施方式,必須有詳細的操作步驟、工作機理,包括附圖中各具體器件功能介紹、及流程圖中具體各個流程的功能。最好提供相應的技術參數、數據來具體說明有益效果,可同時提供原有技術的參數數據進行對比。

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